Youngsang Kim1†, Wonho Jeong1†, Kyeongtae Kim1†, Woochul Lee1 and Pramod Reddy1,2*
Supplementary Information
Seebeck係数のゲート依存性を計測。分子はBPDTとC60。
MCBJではなくエレクトロマイグレーション法で作ったナノギャップを用いている。
素子の詳細はSupplementary Informationに書いています。
Youngsang Kim1†, Wonho Jeong1†, Kyeongtae Kim1†, Woochul Lee1 and Pramod Reddy1,2*
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Seebeck係数のゲート依存性を計測。分子はBPDTとC60。
MCBJではなくエレクトロマイグレーション法で作ったナノギャップを用いている。
素子の詳細はSupplementary Informationに書いています。
1 comment for “Electrostatic control of thermoelectricity in molecular junctions”