Journal-clip

Mobility overestimation due to gated contacts in organic field-effect transistors

mily G. Bittle1,2, James I. Basham1,3, Thomas N. Jackson3, Oana D. Jurchescu2 & David J. Gundlach

スクリーンショット 2016-03-11 9.25.19

スクリーンショット 2016-03-11 9.25.10

ncomms10908

– ソースドレイン電極と有機物の接触抵抗が、ゲート電圧によって変化することで、見かけの易動度が大きく見積もられている、との話。

What do you think of this post?
  • Awesome (0)

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *