Delphine Bouilly,† Jason Hon,† Nathan S. Daly,† Scott Trocchia,‡ Sefi Vernick,‡ Jaeeun Yu,† Steven Warren,‡ Ying Wu,† Ruben L. Gonzalez, Jr.,*,† Kenneth L. Shepard,*,‡ and Colin Nuckolls* acs%2Enanolett%2E6b02149
Alvar R. Garrigues1, Lejia Wang2,w, Enrique del Barco1 & Christian A. Nijhuis2,3 ncomms11595
Florian Schwarz1†, Georg Kastlunger2,3†, Franziska Lissel4, Carolina Egler-Lucas4, Sergey N. Semenov4, Koushik Venkatesan4, Heinz Berke4, Robert Stadler2,3 and Emanuel Lörtscher nnano.2015.255
Cheng Wang,†a Gang Liu,†b Yu Chen,*ac Run-Wei Li,*b Wenbin Zhang,b Luxin Wang Bin Zhanga Material Chem C_DA oligomer for memristor_2015
Shu Fen Tan,1 Lin Wu,2 Joel K.W. Yang,3,4 Ping Bai,*2 Michel Bosman,*3 Christian A. Nijhuis*1,3
mily G. Bittle1,2, James I. Basham1,3, Thomas N. Jackson3, Oana D. Jurchescu2 & David J. Gundlach ncomms10908 – ソースドレイン電極と有機物の接触抵抗が、ゲート電圧によって変化することで、見かけの易動度が大きく見積もられている、との話。
Fabian Menges1,2, Philipp Mensch1, Heinz Schmid1, Heike Riel1, Andreas Stemmer2 & Bernd Gotsmann1 ncomms10874
Albert c. Aragonès1,2,3, Naomi L. haworth4, Nadim Darwish1,2, Simone ciampi5, Nathaniel J. Bloomfield4, Gordon G. Wallace5, Ismael Diez-Perez1,2,3 & Michelle L. coote4 nature16989 ・Taoの解説 531038a ・日本語解説 http://www.natureasia.com/ja-jp/nature/highlights/72738
David Rakhmilevitch†, Soumyajit Sarkar‡, Ora Bitton§, Leeor Kronik‡, and Oren Tal*† acs%2Enanolett%2E5b04674 nl5b04674_si_001 AMRという位置付けになっている。
